适用于半导体光刻工艺制程：MEMS、LED芯片制造、功率器件等
●曝光方式可兼容：真空接触式、软接触式、硬接触式、间隙曝光；
●LED光源寿命长，光源均匀稳定；
●自研高准直平行光光源。
| 性能名称 | 技术指标 |
| 产品尺寸 | ≤300*300mm |
| 加工尺寸 | 4/6/8/12英寸 |
| 产品厚度 | 0.05mm-5mm |
| 曝光光源 | UVLED光源 |
| 曝光波长 | 365nm+385nm+405nm，波长可选 |
| 曝光功率 | ＞45mW/cm², 可定制 |
| 曝光控制 | 软件可调光强 |
| 分辨率L/S |
间隙曝光2.5µm，软接触2µm 硬接触1µm，真空接触0.8µm |
| 线宽精度 | ±10% |
| 对准精度 | ±0.5µm |
| 产能UPH | 240 (间隙曝光，曝光时间<3秒) |
| 光照均匀性 | ＞97%，公式{ 1-（max-min/max+min）}×100% |
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