适用于半导体光刻工艺制程：MEMS、LED芯片制造、功率器件等
●曝光方式可兼容：真空接触式、软接触式、硬接触式、间隙曝光；
●LED光源寿命长，光源均匀稳定；
●自研高准直平行光光源。
| 性能名称 | 技术指标 |
| 分辨率L/S | ≤5.0µm(间隙式) |
| 对准精度 | ≤±1µm |
| 产能 | >200WPH (6寸晶圆) |
| 光照强度 | ＞50mW/cm2 |
立即咨询
扫码关注我们
首页
